2023年厦门大学877半导体物理与器件考研真题(回忆版)

一、名词解释（每个3 分，45 分）

1、空穴

2、非简并半导体

3、布里渊区

4、间接禁带

5、肖特基接触

6、态密度

7、共价键

8、热电子发射效应

9、杂质补偿半导体

10、俄歇复合

11、空间电荷区

12、过剩载流子

13、点缺陷

14、允带

15、自发辐射

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二、简答题（60 分）

1、解释 PN 结的三种击穿机制（15 分）

2、弗伦克尔缺陷和肖特基缺陷都是点缺陷，分析他们的区别（9 分）

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